У дисертаційній роботі встановлено властивості парамагнітних центрів у вуглецевомістких матеріалах методами стаціонарної та імпульсної радіоспектроскопії. У 6H, 4H, 15R політипах карбіду кремнію (SiC) n-типу визначено лігандну структуру для донорів азоту (N). Запропоновано, що донори N, що займають «К2» позицію в гратці 6H SiC з глибоким рівнем залягання в забороненій зоні, заміщують атоми Si, у той час як у 15R SiC збагачення зразків вуглецем (C) сприяє появі глибоких донорних станів N у трьох кубічних позиціях на атомах Si. Визначено механізми та часи спінової релаксації для донорів N у монокристалах 6H SiC. Встановлено, що присутність стрибкової провідності, донорних кластерів та електронів провідності (ЕП) впливає на час фазової пам'яті донорів N. Виявлено та досліджено магнітні та електричні властивості ЕП у сильно- та слаболегованих монокристалах 6H, 4H, 3С SiC. Досліджено магнітні властивості С-пов'язаних центрів у плівках a-Si1−xCx:H, a-SiCxNy, DLC:Cr, SiO2:C. У нанокомпозитах SiO2:C спостережено квантово-розмірний ефект для ЕП, локалізованих у С наноточках. Виявлено розмірно-залежний ефект для донорів N у наночастинках SiC. Виявлено триплетний центр від N-вакансійної пари в самовпорядкованих наноструктурах 6H SiC та визначені його параметри^UIn this theses the properties of paramagnetic centers in carbon-containing materials by continuous wave and pulse radiospectroscopy were established. In 6H, 4H, 15 R polytypes of silicon carbide (SiC) of n-type the ligand structure of nitrogen (N) donors was determined. It was proposed that the N donors residing «k2» position in 6H SiC lattice and having deep levels in the bandgap should substitute Si atoms. At the same time the carbon excess in 15R SiC leads to the appearance of deep N donor levels in three cubic positions residing Si atoms. The spin relaxation mechanisms and times for N donors in 6H SiC monocrystals were determined. It has been found that the presence of the hopping conduction, donor clusters and conduction electrons (CE) has an impact on phase memory time of quantum state for N donors. Magnetic and electrical properties of CE in highly and low-doped 6H, 4H and 3С SiC monocrystals were revealed and studied. Magnetic properties of C-related centers in a-Si1−xCx:H, a-SiCxNy, DLC:Cr, Si:C and SiO2:C films were investigated. In SiO2:C nanocomposites the quantum-size effect for CE localized in C nanodots was found. The size-dependent effect for N donors in SiC nanoparticles was found. The triplet center from N-vacancy pair in self-assembled 6H SiC nanostructures was revealed and its parameters were determined.